新しい太陽電池材料を目指した半導体BaSi2へのSr添加によるバンドギャップエンジニアリング

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-116

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Band-gap-engineering of semiconducting BaSi₂ by Sr addition for solar cell application

著者名: 末益 崇(筑波大学),森田 康介(筑波大学),小林 道崇(筑波大学)

著者名(英語): Takashi Suemasu(University of Tsukuba),Kousuke Morita(University of Tsukuba),Michitaka Kobayashi(University of Tsukuba)

キーワード: 太陽電池| 禁制帯幅|光吸収係数|シリサイド

要約(日本語): 太陽電池が高効率であるよう約1.4eVの禁制帯幅を持ち、さらに、薄膜化が可能であるよう光吸収係数の大きなSiベースの新しい半導体を探索してきた。今回、光吸収係数がSiよりも2桁大きく、禁制帯幅が約1.3eVの半導体BaSi₂をベースとして、そのBa原子の一部を等電子的なSrで置換したBa_1-xSr_xSi₂を形成し、通常の化合物半導体と同様に、バンドギャップエンジニアリングが可能か否か、光吸収特性から評価した。その結果、SrSi₂モル分率xとともに、Ba_1-xSr_xSi₂の光学吸収端が直線的に増加し、x=0.52の時、禁制帯幅が約1.4eVとなることが分かった。

原稿種別: 日本語

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