応力磁気抵抗効果を利用した新型歪ゲージの基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-139

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Basic Examination of New Type Strain Gauge Using magnetoresistance and magnetostrictive effect

著者名: 西部正規 (信州大学),岡田勇輝 (信州大学),阪本一樹 (信州大学),佐藤敏郎 (信州大学),山沢清人 (信州大学),三浦義正 (信州大学)

キーワード: 応力磁気抵抗効果

要約(日本語): MRセンサを歪みゲージとして応用する事を目的とすることで，高分解能なマイクロ歪みゲージの可能性を検討している．物質に流れる電流の向きに対し，印可した磁界の方向によってその物質の電気抵抗が変化する現象である磁気抵抗効果，および磁歪材料において応力印加に伴い磁化に変化が生じる効果である逆磁歪効果を併用することにより，応力による磁気抵抗効果が得られる可能性が示唆される．ここでは，応力印加に伴う磁気抵抗変化を応力磁気抵抗効果と呼ぶことにする．本研究では，負磁歪を有するNiFe薄膜の，応力印加に伴う磁気抵抗変化について検討を行なったので，ここに報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,230 Kバイト