高周波磁気デバイス用Mn-Ir/Fe-Si交換結合膜のFe-Si膜厚と複素比透磁率の関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-143

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Relation Between Complex Permeability And Ferromagnetic Fe-Si Layer Thickness in Mn-Ir/Fe-Si Exchange-Coupled Film for Microwave Magnetic Applications

著者名: 石川 琢也(信州大学),曽根原 誠(信州大学),杉山 貴俊(信州大学),稲垣 慶(信州大学),佐藤敏郎 (信州大学),山沢清人 (信州大学),三浦 義正(信州大学)

著者名(英語): Takuya Ishikawa(Shinshu University),Makoto Sonehara(Shinshu University),Takatoshi Sugiyama(Shinshu University),Kei Inagaki(Shinshu University),Toshiro Sato(Shinshu University),Kiyohito Yamasawa(Shinshu University),Yoshimasa Miura(Shinshu University)

キーワード: 磁性材料|交換結合|高周波|磁気デバイス

要約(日本語): マイクロ波帯を動作周波数とする情報通信機器の普及に伴い，GHz帯に対応する低損失磁気デバイスの開発が急務である．そのために高い強磁性共鳴周波数を有し，使用周波数帯において高い性能指数を有する高周波薄膜磁性材料の開発が重要である．そこでMn-Ir (10 nm)/Fe-Si (100 nm)/Ru (1 nm)交換結合膜を作製した．その結果，交換結合を用いた場合は，交換結合を用いない場合に比べ，強磁性共鳴周波数は1.6 GHzから1.9 GHzに高周波化され，1 GHzにおける性能指数は2.5から4.8に高くなった．また，交換結合膜のFe-Si膜厚を薄くするに伴い，強磁性共鳴周波数は高周波化され，性能指数は高くなることが確認された．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,060 Kバイト