半導体のフェムト秒レーザ加工特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-015

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Characteristics of femtosecond laser processing for semiconductors

著者名: 藤田雅之 (レーザー技術総合研究所),井澤友策 (大阪大学),木下 篤 (大阪大学),近田和敬 (近畿大学),中野人志 (近畿大学),橋田昌樹 (京都大学),井澤靖和 (大阪大学),山中千代衛 (レーザー技術総合研究所)

キーワード: レーザ加工|フェムト秒レーザ

要約(日本語): 我々は、電子産業において重要な材料である半導体Siのフェムト秒レーザ加工に着目し研究を進めている。低強度（<1J/cm2）のフェムト秒レーザ照射における半導体表面の加工現象について、波長依存性、照射強度依存性に関する実験を行った。アブレーションレートの照射強度依存性から実効的吸収係数を求めた。その値は分光データで得られる吸収係数と大きく異なることが明らかとなり、瞬間的なキャリアの励起が影響しているものと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 533 Kバイト