商品情報にスキップ
1 1

イオン照射によるPTFEとCu薄膜の密着力向上

イオン照射によるPTFEとCu薄膜の密着力向上

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-129

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Increace of Peel Strength between PTFE and Cu Thin Film thought Ion Irradiation

著者名: 山下修平 (兵庫県立大学),植田寛康 (東海理化),糸魚川貢一 (東海理化),野田大二 (兵庫県立大学),奥田孝一 (兵庫県立大学),服部 正 (兵庫県立大学)

キーワード: 表面改質|イオン照射|密着|スパッタリング|異種材料

要約(日本語): 半導体やMEMS,その他産業分野でスパッタリング,めっきといった薄膜形成技術はなくてはならないものである.しかし樹脂に金属薄膜を形成するとき,しばしば剥離してしまう問題がある.そこでArイオン照射によるアンカー効果とH2Oイオン照射による表面改質効果の2つの効果に注目した.被照射試料に代表的なテフロンであるPTFEを用い,イオン照射によってCuスパッタ薄膜との密着力の向上を目指した.その結果,未照射試料の0.8MPaに対してアンカー効果で5.5MPa,表面改質で4.3MPaの剥離強度が得られた.また2つの効果を組み合わせることによって8.5MPaと未照射試料の10倍以上の剥離強度を得た.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 994 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する