SiCを用いたトランジスタのシミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Device Simulation of SiC Transistor

著者名: 松岡 高広(愛媛大学),林 利哉(愛媛大学),坂田 博(愛媛大学)

著者名(英語): Takahiro Matsuoka(Ehime University),Toshiya Hyashi(Ehime University),Hiroshi Sakata(Ehime University)

キーワード: SiC|トランジスタ|デバイスシミュレーション

要約(日本語): 現在、Siに代わる半導体材料としてSiCが注目されており、SiCを用いることによってターンオフ特性の改善を実現するとされている。そこで本研究では、トランジスタのターンオフ特性に対し、SiCの与える影響について検討していた。なお、デバイスシミュレーションは有限要素法を用いたオリジナルのプログラムを使用した。一次元モデルを用いたデバイスシミュレーションにより、SiCトランジスタのスイッチング時間はSiの場合の約4割であることがわかった。よって、Siの代わりにSiCを用いることで、ターンオフ特性を大幅に改善、高周波動作できることがわかった。高耐圧、高温安定については、このモデルでは表現されていなので、確認していない。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 830 Kバイト