4H-SiC C面上に作製した低オン抵抗反転チャネルIEMOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Low on-resistance in inversion channel IEMOSFET fabricated on SiC C-face

著者名: 原田 信介(産業技術総合研究所),加藤 真(産業技術総合研究所),茂木 宝博(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),福田 憲司(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Makoto Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Takahiro Mogi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Mitsuo Okamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tsutomu Yatsuo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kenji Fukuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuo Arai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: MOSFET|SiC|低オン抵抗

要約(日本語): 4H-SiC縦型MOSFETのpウェルをイオン注入で作製すると表面がラフになりチャネル移動度が劣化する。我々はこの問題に対して、pウェル表面をp型エピタキシャル成長膜で構成したIEMOSFET (Implantation & Epitaxial MOSFET)を開発し、Si面上で埋め込みチャネル構造と組み合わせることによってオン抵抗4.3mΩcm2を達成した。今回はSi面に比べ反転チャネルの移動度が高いC面を用い反転型IEMOSFETを開発したので報告する。基板には0.01Ωcmの低抵抗C面基板を用い、エピ層は濃度1.2x1016cm-3で厚さ6umとした。ゲート酸化膜は900℃のパイロジェニック酸化で形成し厚さを50nmとした。セル構造はJFET領域長のばらつきが小さい六角形セルにした。横型MOSFETの移動度をSi面埋め込みチャネルとC面反転チャネルで比較したところ、ゲート電圧15V (Eox=3MV/cm)ではSi面埋め込み型で55cm/Vsに対し、C面反転型では72cm/Vsと高い値を示した。C面反転型IEMOSFETの出力特性から、ゲート電圧15Vでのオン抵抗は2.7mΩcm2で、また耐圧は700Vであり、これまでのSi面埋め込みチャネルIEMOSFETに比べ、大幅にオン抵抗を低減することに成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 720 Kバイト