高電圧領域におけるSiC-SBDの容量-電圧特性の測定法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): A method for high voltage C-V characteristics measurement of SiC-SBD

著者名: 松崎 俊太郎(京都大学),舟木 剛(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Syuntaro Matsuzaki(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: SiC|高耐圧|C-V特性|接合容量|パラメータ抽出

要約(日本語): SiCショットキーバリヤダイオード(SBD)は, 高耐圧かつ, 逆回復電流のない高速な電源回路用素子として注目されている. 電源回路内におけるSiC-SBDのスイッチング動作を回路シミュレーションで評価するには, 素子の容量-電圧特性を正確に把握し, モデル化を行うことが重要である. 本報告では, 高電圧領域までC-V特性が測定可能な複数の測定回路を製作するとともに, 測定したSiC-SBDのC-V特性の妥当性について評価する. さらに, 測定したC-V特性から抽出したパラメータに基づいて, SiC-SBDのデバイス構造について考察する.

原稿種別: 日本語

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