350V,7A高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): 350V, 7A high -speed switching operation AlGaN/GaN HFET

著者名: 池田 成明(古河電気工業),増田 満(古河電気工業),李 江(古河電気工業),神林 宏(古河電気工業),吉田 清輝(古河電気工業)

著者名(英語): Nariaki Ikeda(The Furukawa Electric co.,ltd.),Mitsuru Masuda(The Furukawa Electric co.,ltd.),Jiang Li(The Furukawa Electric co.,ltd.),Hiroshi Kambayashi(The Furukawa Electric co.,ltd.),Seikoh Yoshida(The Furukawa Electric co.,ltd.)

キーワード: GaN系パワー半導体|HFET|高温動作|高速スイッチング

要約(日本語): GaNを用いた半導体素子は、従来のSi系素子と比べて優れた特性を示すと期待され、開発が進められてきている。GaN-FETの高速スイッチング化や、高周波動作化によって、スイッチング回路の高効率化が可能になる。今回、AlGaN上のオーミック電極として、独自構造のTi/AlSi/Mo電極構造を適用することにより、低接触比抵抗の素子を実現することができ、高い歩留まりを確保することができた。また、その素子を用いたスイッチング特性の評価を行い、Cool MOSFETと比較を行った。Turn-on遅延時間はCool MOSFETの32.8nsec.に対し、GaN HFETでは7.2nsec.と約1/5に低減し、またTurn-off時間は、GaN HFETがCool MOSFETと比較して一桁以上低減できることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 815 Kバイト