600V耐圧AlGaN/GaN SBDのPFC回路評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): 600V AlGaN/GaN SBD in Power Factor Correction Circuits

著者名: 町田 修(サンケン電気),岩上 信一(サンケン電気),柳原 将貴(サンケン電気),江原 俊浩(サンケン電気),金子 信男(サンケン電気),猪澤道能 (サンケン電気),後藤 博一(サンケン電気),岩渕 昭夫(サンケン電気),大塚康二 (サンケン電気)

著者名(英語): Osamu Machida(Sanken Electric Co.,Ltd.),Shinichi Iwakami(Sanken Electric Co.,Ltd.),Masataka Yanagihara(Sanken Electric Co.,Ltd.),Toshihiro Ehara(Sanken Electric Co.,Ltd.),Nobuo Kaneko(Sanken Electric Co.,Ltd.),Mitiyoshi Izawa(Sanken Electric Co.,Ltd.),Hirokazu Goto(Sanken Electric Co.,Ltd.),Akio Iwabuchi(Sanken Electric Co.,Ltd.),Kohji Ohtuka(Sanken Electric Co.,Ltd.)

キーワード: GaN|SBD|Si基板|化合物半導体|力率改善回路

要約(日本語): 電源機器の高効率化のために、ローコスト、低損失なSi基板上GaN系電子デバイスの開発を行っている。Si基板に緩衝層／GaN層／AlGaN層をエピタキシャル成長したウエハを用いて、2次元電子ガス層を導電層とした横型のAlGaN/GaN SBDを作製した。アノード電極長66mm、活性部面積1.7mm2のAlGaN/GaN SBDにおいて耐圧600Vを得た。本SBDを300WクラスのPFC回路に搭載し動作波形を確認したところ、Si FRDにみられるようなリカバリー電流は認められなかった。また、PFC回路の電力変換効率がSi FRD使用時の93.5%に対し、本SBD使用時には94.4%となり効率改善効果が認められた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 919 Kバイト