トレンチ埋込法により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Above 500V Class Superjunction MOSFETs Fabricated by Trench Filling

著者名: 高橋 孝太(富士電機アドバンストテクノロジー),岩本 進(富士電機デバイステクノロジー),栗林 均(富士電機アドバンストテクノロジー),脇本 節子(富士電機アドバンストテクノロジー),望月 邦雄(富士電機アドバンストテクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): Kouta Takahashi(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Susumu Iwamoto(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Hitoshi Kuribayashi(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Setsuko Wakimoto(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Kunio Mochizuki(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Haruo Nakazawa(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.)

キーワード: 超接合|トレンチ|エピ|耐圧|トレードオフ

要約(日本語): 高アスペクト比かつ垂直に近い深さ50um以上のトレンチを形成し、ボイドおよび結晶欠陥の無いエピタキシャル成長によって埋め込むことにより、耐圧500V以上のSJ-MOSFETをトレンチ埋込法により作製した。オン抵抗はシリコンリミットより、最大47%低減されている。また、SJピッチが狭いほど表面工程の熱処理による相互拡散の影響によりn型p型ともに不純物濃度が下がる。それゆえドリフト領域のオン抵抗が高くなるのと同時に、SJ領域の空乏化が促進されるため耐圧が向上する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 635 Kバイト