超低損失・低ノイズ 1200V系IGBTモジュール

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Super Low Loss and Low Noise Characteristics 1200V IGBT Module

著者名: 小野沢 勇一(富士電機デバイステクノロジー),吉田 崇一(富士電機アドバンストテクノロジー),大月正人 (富士電機デバイステクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): Onozawa Yuichi(Fuji Electric Device Technology),Yoshida Souichi(Fuji Electric Advanced Technology),Otsuki Masahito(Fuji Electric Device Technology),Nakazawa Haruo(Fuji Electric Advanced Technology)

キーワード: IGBT|FWD|dI/dt制御性|ノイズ|逆回復

要約(日本語): 高いゲート抵抗によるdI/dt制御性と低スイッチング損失を持つIGBTの開発を、表面構造の最適化を行いゲート-コレクタ間容量を低減することにより実現した。また、FWDにおいて低電流での逆回復時のサージ電圧を抑えるために、ドリフト層のドーピング濃度プロファイルの最適化を行った。これらのチップを組み込んだIGBTモジュールでは30MHzから110MHzの周波数領域においてにおいて、30%程度のスイッチング損失の低減に成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,984 Kバイト