4.5kV-IGBTモジュール適用スナバレス3レベルインバータ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Snubberless three-level inverter using 4.5kV-IGBT modules

著者名: 土谷 多一郎(東芝三菱電機産業システム),佐藤 聡(東芝三菱電機産業システム),山口 弘昭(東芝三菱電機産業システム)

著者名(英語): Taichiro Tsuchiya(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corp.),Akira Satoh(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corp.),Hiroaki Yamaguchi(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corp.)

キーワード: 3レベルインバータ|スナバレス

要約(日本語): 3レベルインバータの低インダクタンス構造を検討し、4.5kV-IGBTモジュールを適用したスナバレスユニットによる電流遮断試験を行ったので、これを報告する。低インダクタンス構造としては、IGBTモジュールと接続導体を対称配置したものと、非対称配置したものの2種類を検討した。対称型ユニットについては、外側素子と内側素子でほぼ同じターンオフ責務となった。また、定格コレクタ電流の約2倍の電流遮断時にも跳ね上がり電圧は抑制され、素子耐圧に対して十分な余裕を確保することができた。なお、非対称型の試験結果は講演時に報告する予定である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 265 Kバイト