CT帰還形ゲート駆動回路を用いたMOSFET及びIGBTのスイッチング損失評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Switching Loss Evaluation of MOSFET and IGBT Using a CT Feedback Type Gate Drive Circuit

著者名: 松野 浩和(首都大学東京),清水 敏久(首都大学東京),滝沢 聡毅(富士電機アドバンストテクノロジー),谷津 誠(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): Hirokazu Matsuno(Tokyo Metropolitan University),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan University),Satoki Takizawa(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Makoto Yatsu(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.)

キーワード: ゲート駆動回路|スイッチング損失

要約(日本語): 高周波スイッチング方式のコンバータでは,パワー半導体デバイスのスイッチング損失とゲート駆動電力の増加が問題となる。筆者らは,半導体デバイスのスイッチング損失とゲート駆動電力を低減することを目的として,CT帰還形ゲート駆動回路を提案している。本稿では,MOSFET及びIGBTで構成されるブリッジインバータ回路にCT帰還形ゲート駆動回路を適用した場合のスイッチング損失を測定・評価した。その結果、CT帰還形ゲート駆動回路により,MOSFETではターンオン損失,ターンオフ損失ともに低減されることを示した。一方、IGBTではターンオフ損失は低減されたが,ターンオン損失は低減されないことを示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 893 Kバイト