消費電力を低減可能なMOSFET用共振形ゲートドライブ回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): A Resonant Gate-Drive Circuit with a Reduced Gate-Charge Loss

著者名: 石垣将紀 (東京工業大学),藤田英明 (東京工業大学)

キーワード: ゲートドライブ|パワーデバイス|高パワー密度化|高周波|部分共振

要約(日本語): 近年，パワーエレクトロニクス回路の小型化・高パワー密度化を目的として，スイッチング周波数の高周波化と低損失化が進められている。ソフトスイッチング技術はスイッチング損失の低減をし，高周波動作を可能とした。導通損失を低減する為には，オン電圧の低い素子を使用する必要がある。しかし， MOSFETを用いた場合，オン抵抗を下げようとすると，入力容量は増加し，ドライブ損失は増加する傾向にある。本研究では，MOSFET用共振形ゲートドライブ回路の損失低減効果について検討し， 450kHzハーフブリッジインバータへ適用した場合の動作特性を調査した。その結果，従来のドライブ回路に比べて，提案するドライブ回路における損失が1/10になることを確認し，また，ハーフブリッジインバータにおいても良好な動作を確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,574 Kバイト