中性粒子ビーム入射加熱装置加速電源向け多直列IGBTスイッチの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-024

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Development of Multi-series IGBT Switch for Acceleration Power Supply of a Neutral Beam Injection System

著者名: 狼 智久(東芝三菱電機産業システム),左右田 学(東芝三菱電機産業システム),斉藤 隆(東芝三菱電機産業システム),山崎 長治(東芝三菱電機産業システム),浅野 史朗(東芝),鈴木 靖生(東芝),長壁 正樹(核融合科学研究所),永岡 賢一(核融合科学研究所),竹入 康彦(核融合科学研究所),金子 修(核融合科学研究所)

著者名(英語): Tomohisa Ohkami(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems),Manabu Souda(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems),Takashi Saito(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems),Choji Yamazaki(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems),Shiro Asano(Toshiba),Yasuo Suzuki(Toshiba),Masaki Osakabe(National Institute for Fusion Science),Nagaoka Kenichi(National Institute for Fusion Science),Yasuhiko Takeiri(National Institute for Fusion Science),Osamu Kaneko(National Institute for Fusion Science)

キーワード: 多直列|IGBT|スイッチ|NBI|中性粒子ビーム入射加熱|加速電源

要約(日本語): 核融合科学研究所の大型ヘリカル装置における中性粒子ビーム入射加熱装置の加速電源向けに、DC40kV?180A（10秒運転／300秒周期）のオン、オフが可能である、IGBTを多直列としたIGBTスイッチを開発した。加速電源の負荷となるイオン源は電圧印加中に短絡することがあるため、IGBTスイッチはイオン源短絡時、高速に電流遮断を行う。一方、システム継続運転のため、電流遮断から10ms後には再度スイッチを投入する。 IGBTスイッチはIGBTを多直列とすることで高耐圧化しているため、IGBT1素子のみがオフとなった場合には全電圧が1素子に集中し過電圧となる。そのため、過電圧抑制及び異常検出する回路を設け、保護動作させている。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,716 Kバイト