全面導電釉がいしの釉薬抵抗変化の加速試験（第4報）

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-109

グループ名: 【全国大会】平成18年電気学会全国大会論文集

発行日: 2006/03/15

タイトル(英語): Accelerated test of resistance change of semiconducting glaze insulator(report No.4)

著者名: 吉橋 秀和(名古屋工業大学),安井 晋示(名古屋工業大学),水野 幸男(名古屋工業大学),内藤 克彦(名城大学),沓名 英治(日本ガイシ),森 重男(日本ガイシ),中村 逸志(日本ガイシ),鈴木 良博(日本ガイシ)

著者名(英語): Hidekazu Yoshihashi(Nagoya Institute of Technology),Shinji Yasui(Nagoya Institute of Technology),Yukio Mizuno(Nagoya Institute of Technology),Katsuhiko Naito(Meijo University),Eiji Kutsuna(NGK Insulators,Ltd),Shigeo Mori(NGK Insulators,Ltd),Itsushi Nakamura(NGK Insulators,Ltd),Yoshihiro Suzuki(NGK Insulators,Ltd)

キーワード: 全面導電釉がいし

要約(日本語): 全面導電釉がいしは、半導電釉薬による均圧効果とジュール熱による発熱・乾燥効果により極めて優れた耐汚損特性を有するが、長時間使用時には導電釉が劣化を受ける可能性も指摘されている。釉薬抵抗に関し、電流集中による発熱、部分放電などの観点からその原因を検討してきた。そこで、抵抗値の異なる3種類の半導電釉薬（低抵抗、中抵抗、高抵抗）を用い、通電電荷量と抵抗変化の関連を調査・検討するために試験を新たに開始した。試験では、試料に6kVの交流電圧を500時間印加してきたが、通電電荷量が多い低抵抗試料で最も大きい小穴ができており中抵抗、高抵抗試料の順に小穴の大きさが小さくなっているという経過が得られた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 825 Kバイト