LSI絶縁膜向けマイクロ波N2プラズマ中における原子状イオンN+の圧力・電力特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-058

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Pressure and Power Characteristics of Atomic Ion N+ in Microwave N2 Plasma for LSI Insulating Film

著者名: 常世田 翔(中央大学),進藤 春雄(東海大学),岩尾 徹(武蔵工業大学),稲葉 次紀(中央大学)

著者名(英語): Tokoyoda Sho(Chuo University),Shindo Haruo(Chuo University),Iwao Toru(Chuo University),Inaba Tsuginori(Chuo University)

キーワード: マイクロ波|原子状窒素イオン|分子状窒素イオン

要約(日本語): 近年,次世代LSIの絶縁膜として期待されているhigh-k（高誘電率）材料の界面反応を抑制する技術として注目される極薄窒化シリコン膜の界面挿入においては,シリコン窒化膜の生成プロセスの解明及び制御が強く望まれている．本論文では窒素プラズマ粒子の中で特に反応性の高い原子状窒素イオンN+がより支配的になる条件を調査するために,四重極質量分析器を用い,マイクロ波表面波窒素プラズマ中のイオン種の分析を行った．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 216 Kバイト