SOIウェハ上における沿面放電現象

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-066

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Surface Discharge Phenomenon on SOI Wafer

著者名: 林 純也(東京大学),安井 遼(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Junya Hayashi(The University of Tokyo),Ryo Yasui(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),Kunihiko Hidaka(The University of Tokyo),Yoshio Mita(The University of Tokyo)

キーワード: 沿面放電|電子デバイス|微小放電

要約(日本語): 本研究では、ナノ・マイクロ技術を駆使することにより、空間分解能が3μmと、従来の測定手法より2桁以上改善された電荷密度分布測定システムを構築し、沿面放電現象を高い時間・空間分解能で測定することを目的とする。まずその足がかりとして、SOI (Silicon on Insulator) ウェハより電極間距離が200μmの簡易電極を作成し、2μmSIO2薄膜上における沿面放電現象の基本的な特性を測定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 797 Kバイト