C8F18プラズマCVDによるa-C:F膜堆積とその評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-221

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Deposition of a-C:F Films by C₈F₁₈ plasma CVD and their Characterization

著者名: 小池 広恵(北海道大学),山内 達也(北海道大学),須田 善行(北海道大学),酒井 洋輔(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学)

著者名(英語): Hiroe Koike(Hokkaido University),Tatsuya Yamauchi(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University),Yousuke Sakai(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University)

要約(日本語): 非晶質フッ化炭素高分子（a-C:F）膜は優れた電気的、化学的特性を持つ低誘電率材料である。当研究室ではC7F16、C8F18を材料としてプラズマCVDによる高速な膜堆積を実現しているが、堆積メカニズム、気相反応、表面反応機構およびそれらが膜特性に及ぼす影響は未だ明らかではない。その解明のため、本研究ではまず膜堆積過程の全体像を掴む目的で封切系にて膜堆積した。封切系では堆積過程の初期段階と後期段階の違いが一度の堆積で観察できると期待される。本報告では、封切系による堆積膜をフーリエ変換赤外分光（FT-IR）とX線光電子分光法（XPS）をより分析し、膜組成と結合状態を考察した結果について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,005 Kバイト