大気圧誘導結合プラズマを用いた炭化レジストの高速剥離

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-222

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): High Speed Semiconductor Processing using Atmospheric Multi-Gas Inductively Coupled Plasma

著者名: 景安泰千 (東京工業大学),瀧本和靖 (東京工業大学),熊谷 航(東京工業大学),宮原 秀一(東京工業大学),渡邊 正人(東京工業大学),堀田 栄喜(東京工業大学),沖野 晃俊(東京工業大学)

著者名(英語): Kageyasu Taichi(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Takimoto Kazuyasu(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Kumagai Wataru(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Miyahara Hidekazu(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Watanabe Masato(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Hotta Eiki(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering),Okino Akitoshi(Interdisciplinary Graduate School of Science and Enginnering)

キーワード: 大気圧放電|誘導結合プラズマ|炭化レジスト

要約(日本語): 半導体デバイスのさらなる高速・高集積化のためには高ドーズのイオン注入が必要となるが，高ドーズ化によってレジスト表面に炭化層が生じ，この剥離に長時間を要する事が問題となっている。本研究では，この炭化レジストを高速で剥離するため，マルチガス誘導結合プラズマ源（ICP）を適用した。まず，処理容器を製作し，アルゴン，ヘリウム，酸素，二酸化炭素，空気およびそれらの混合ガスのプラズマを大気圧下で安定に生成することに成功した。さらに，任意の量の水素混合にも成功した。炭化レジストを水冷基台に設置してプラズマ照射を行った結果，酸素混合プラズマでは120秒以上の照射後も炭化層が残ったが，水素混合プラズマでは30秒の照射で炭化レジストを完全に剥離できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 679 Kバイト