HPA処理によるポリシラザン酸化絶縁膜の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-011

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Evaluation of Polysilazane Oxidation Insulator by HPA Treatment

著者名: 卜部 友二(東京農工大学)

著者名(英語): Yuji Urabe(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 高圧水蒸気熱処理|ポリシラザン|低温プロセス|絶縁膜|溶液

要約(日本語): 層間平坦化膜として利用されているポリシラザンの低温で成膜可能なゲート絶縁膜としての可能性を見出すために、高圧水蒸気熱処理[1][2](High Pressure Anneal : HPA)による改質を試みた。スピンコーティング後の200℃、1MPa 30分の水蒸気熱処理により、界面準位密度は1.75x1011 cm-2eV-1に固定電荷密度は6.37x1010cm-2に低減し、膜質・界面ともに良質な絶縁膜特性が得られた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 558 Kバイト