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高抵抗材料としてのポリイミド薄膜の電気伝導特性

高抵抗材料としてのポリイミド薄膜の電気伝導特性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-057

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Electrical Properties of High Resistance Polyimide Thin Films

著者名: 中村 達樹(三重大学),飯田 和生(三重大学),齋藤 寧(三重大学),澤 五郎(愛知工業大学)

著者名(英語): Tatsuki Nakamura(Mie University),Kazuo Iida(Mie University),Yasushi Saitou(Mie University),goro Sawa(Aichi Institute of Technology)

キーワード: ポリイミド|分子構造|π電子

要約(日本語): 絶縁材料に近い抵抗率をもつ抵抗体は一般的には金属などの導電性粒子と高分子などの絶縁性の材料との複合体から作られる。主鎖に芳香環を含み、π電子の広がりがある程度得られる構造の全芳香族高分子は材料単体でこの用途の材料として期待できる。そこで、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTA)と4,4’-ジアミノアゾベンゼン(DA)を用いて以前検討したものより分子鎖に沿ったπ電子の広がりを持つNTA-DAポリイミド薄膜を作成し電流測定を行った。その抵抗率は2.0×E13Ωcmとこれまで得られている結果から期待されるほど低くはならなかった。これは今回作成したポリイミドの分子量が小さいことによると考えられた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 754 Kバイト

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