PLD法によるZnOの成膜とAlドープの評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-092

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Synthesize of ZnO by pulsed laser deposition method and evaluation with Aluminum dope

著者名: 胡桃 聡(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Satoshi Kurumi(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: PLD法|ZnO

要約(日本語): ZnOはバンドギャップエネルギーが3.37eVの酸化物半導体で励起子結合エネルギーが60meVと高く励起子が室温で安定して存在可能であるため、エキシトン発光を利用した青から紫外の発光デバイスとして注目を集めている。またAlやGaなどをドープすることで電気伝導の向上や発光波長に影響があることが知られている。我々は成膜方法にレーザ照射によって放出されるアブレーションプルムを堆積させるPLD法を採用している。この方法は成膜条件を容易に可変できるなどの特徴があることから最適な成膜条件を求められるといえる。本稿では不純物にAlをドープしたZnO薄膜を作製し発光波長などについて評価し報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,401 Kバイト