V2O5薄膜の積層によるCuPc薄膜FETの特性変化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-111

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Characteristic change of CuPc thin film FET due to V₂O₅ film deposition

著者名: 高橋 俊明(新潟大学),皆川 正寛(新潟大学),岩崎 正英(新潟大学),大平 泰生(新潟大学),新保 一成(新潟大学),加藤景三 (新潟大学),金子 双男(新潟大学)

著者名(英語): Toshiaki Takahashi(Niigata University),Masahiro Minagawa(Niigata University),Masahide Iwasaki(Niigata University),Yasuo Ohdaira(Niigata University),Kazunari Shinbo(Niigata University),Keizo Kato(Niigata University),Futao Kaneko(Niigata University)

キーワード: FET|有機|V2O5

要約(日本語): 有機電界効果トランジスタ（OFET）は回路素子の柔軟性、有機半導体材料の多種性による材料の選択の自由さなどの特長から注目を集め、盛んに研究が行われている。しかし、キャリア移動度が制限され、大電流が流せないといった問題がある。本研究では、活性層に銅フタロシアニン（CuPc）を用い、有機発光素子などで用いられる電荷発生層、五酸化バナジウム（V₂O₅）を積層させることでゲート電圧印加時のCuPc層での電荷量を増やし、電流伝導度を改善することを試みた。CuPc単層構造の電気特性と比較するとドレイン電流が約2倍に増大することが確認できた。これは、V2O5層からCuPc層へキャリアとなる正孔が注入され、CuPc層でのキャリア密度が増大するためと考えられた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 626 Kバイト