表面処理されたゲート絶縁膜で作製された有機電界効果トランジスタの出力特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-113

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Output Characteristics of Organic Field Effect Transistor(OFET) using the Gate Insulating Layer treated by Hexamethyldisilazane (HMDS)

著者名: 落合 鎮康(愛知工業大学),山本 浩二(愛知工業大学),澤 五郎(愛知工業大学),小嶋 憲三(愛知工業大学),大橋 朝夫(愛知工業大学),内田 悦行(愛知工業大学),水谷 照吉(愛知工業大学)

著者名(英語): Shizuyasu Ochiai(Aichi Inst. of Tech.),Koji Yamamoto(Aichi Inst. of Tech.),Goro Sawa(Aichi Inst. of Tech.),Kenzo Kojima(Aichi Inst. of Tech.),Asao Ohashi(Aichi Inst. of Tech.),Yoshiyuki Uchida(Aichi Inst. of Tech.),Teruyoshi Mizutani(Aichi Inst. of Tech.)

キーワード: 有機電界効果トランジスタ|π共役系高分子|poly(3-hexylthiophene)|Poly-4-vinylphenol|polyehylenenaphthalate

要約(日本語): 有機半導体のキャリア移動度は一般にSiと比べて桁違いに低く実用化にはほど遠いと考えられてきたが新規材料の開発、デバイス製造技術の向上により有機半導体材料のキャリア移動度は年々増加傾向にあり、有機半導体低分子材料であるペンタセン(C22H14)ではすでにアモルファス以上の移動度領域まで達成されており、その向上が著しい。本研究で用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)は高導電性であり、高配向な膜が形成できることから高移動度期待できる。我々は今までP3HTを用いてオールプラスチックタイプのFETを作成した。さらに基板を表面処理することでOn/Off比の向上を検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 680 Kバイト