センダスト／ポリイミド複合材料厚膜を用いたプレーナパワーインダクタの試作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-128

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Fabrication of A Planar Power Inductor using Sendust / Polyimide Composite Thick Film

著者名: 清水 勇人(信州大学),吉池 政史(信州大学),岩成 達夫(信州大学),直江 正幸(信州大学),佐藤敏郎 (信州大学),山沢清人 (信州大学),三浦 義正(信州大学)

著者名(英語): Hayato Shimizu(Shinshu University),Masashi Yoshiike(Shinshu University),Tatsuo Iwanari(Shinshu University),Masayuki Naoe(Shinshu University),Toshiro Sato(Shinshu University),Kiyohito Yamasawa(Shinshu University),Yoshimasa Miura(Shinshu University)

キーワード: プレーナパワーインダクタ|センダスト|複合材料|透磁率|インダクタンス

要約(日本語): 本研究では，センダスト粒子／ポリイミド複合材料を用いたプレーナパワーインダクタの解析・試作を行った．センダスト／ポリイミド複合材料の初透磁率は12であるが，これは従来使用していたMn-Znフェライト／ポリイミド複合材料の2倍の初透磁率である．この材料を用いてデバイスサイズ9 mm角の構造において電磁界解析を行った結果，複合材料の膜厚は250μm で目標のインダクタンス100nHを示した．この結果からデバイスのインダクタンスを保ちつつ従来よりも上面投影面積を約1/3に小型化できると考えられる．解析結果に基づいて設計・試作したプレーナインダクタの複素インピーダンスについての実測値と解析値との比較，直流重畳特性などについては，当日述べる予定である．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,812 Kバイト