フェムト秒レーザーを用いたSiの相制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-011

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Phase control of Si by femtosecond laser pulses

著者名: 藤田 雅之(レーザー技術総合研究所),井澤 友策(大阪大学),近田 和敬(近畿大学),鶴見 洋輔(近畿大学),中野 人志(近畿大学),吉田 実(近畿大学),井澤 靖和(大阪大学),山中 千代衛(レーザー技術総合研究所)

著者名(英語): Masayuki Fujita(Institute for Laser Technology),Yusaku Izawa(Institute of Laser Engineering),Kazutaka Chikada(Kinki University),Yosuke Tsurumi(Kinki University),Hitoshi Nakano(Kinki University),Minoru Yoshida(Kinki University),Yasukazu Izawa(Institute of Laser Engineering),Chiyoe Yamanaka(Institute for Laser)

キーワード: レーザ加工|フェムト秒レーザ

要約(日本語): 低フルーエンスのフェムト秒パルスを単結晶Siに照射すると極浅のアモルファス層を形成することが出来る。また、単結晶Si上にアモルファスSiをスパッタした試料に低フルーエンスのフェムト秒パルスを照射すると、アモルファス層の再結晶化を促すことが可能となる。いずれの過程も常温、大気中で行うことができる。今回、我々はそれぞれの過程のレーザ照射条件に関して実験的な結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 773 Kバイト