厚膜SOI基板上のCMOS/MEMS集積化に向けた酸化膜ブリッジ構造による相互配線の形成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-131

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): A Novel Interconnection Process Using SiO₂-Bridge Structure for Integrated CMOS/MEMS on Thick-SOI Substrate

著者名: 市川 武彦(豊橋技術科学大学),高尾 英邦(豊橋技術科学大学),清水 武士(セイコーエプソン),澤田 和明(豊橋技術科学大学),石田 誠(豊橋技術科学大学),村田 昭浩(セイコーエプソン)

著者名(英語): Takehiko Ichikawa(Toyohashi University of Technology),Hidekuni Takao(Toyohashi University of Technology),Takeshi shimizu(Seiko Epson Corporation),Kazuaki Sawada(Toyohashi University of Technology),Makoto Ishida(Toyohashi University of Technology),Akihiro Murata(Seiko Epson Corporation)

キーワード: 厚膜SOI基板|CMOS-MEMS集積化|ポストCMOSプロセス|相互配線|Deep-RIE|ゼノンダイフロライドエッチング

要約(日本語): 1チップ上へのCMOS-MEMS集積化には、CMOSとMEMSを電気的に分離した上で、回路的には接続する必要がある。今回提案するシリコン酸化膜ブリッジを用いた配線方法は、CMOSプロセスにおいて配線が完了しており、CMOS完成後の配線形成工程は不要であることから、比較的簡便なポストCMOS-MEMSプロセスでCMOS-MEMSの集積化が可能である。このシリコン酸化膜ブリッジはCMOSプロセスにおいて成膜するフィールド酸化膜をXeF₂エッチングでブリッジ状に形成し、CMOSとMEMSの 2領域の境界にあるシリコンを除去することで電気的に分離する。提案したプロセスを実際に行い、ブリッジ構造の形成を行うことができた。今後、CMOS-MEMSデバイスを完成し、特性評価を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 878 Kバイト