プロトンポンピングゲート構造をもったFET型水素センサ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-155

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): FET Type Hydrogen Sensor with Proton-Pumping Gate

著者名: 塚田 啓二(岡山大学),山口 富治(岡山大学),紀和 利彦(岡山大学),山田 博信(岡山大学)

著者名(英語): Keiji Tsukada(Okayama University),Tomiharu Yamaguchi(Okayama University),Toshihiko Kiwa(Okayama University),Hironobu Yamada(Okayama University)

キーワード: 水素センサ|ガスセンサ|電界効果型トランジスタ|プロトン|ガス選択性

要約(日本語): 新しい構造のプロトンポンピングゲート構造を持ったFET型水素センサを開発した。このセンサは，従来のパラジウムをゲート電極に用いたFET水素センサと比較して格段に水素に対する選択性が高くなった。また，従来にない新しい機能として，ゲートのバイアス電圧を変化させることで，感度を変えることが可能となった。これにより，センサのドリフト補正などをせずに，バイアス電圧を交流にすることにより，水素ガス応答変化を変調して出力することが可能となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,647 Kバイト