シリコン・パワーデバイスリーク電流の拡散電流成分

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): On the Diffusion Component in Leakage Currents of Silicon Power Devices

著者名: 高田 育紀(三菱電機)

著者名(英語): Ikunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: リーク電流|高温特性|拡散電流成分|活性化エネルギー

要約(日本語): シリコン・パワーデバイスのリーク電流は、従来、発生電流成分だけを考えるのが通例であった。高耐圧デバイスの高温動作では、シリコンを用いていても拡散電流成分も考慮することが必要であることを提言する。現在、主流となっているアノード、カソード領域を浅く低濃度不純物濃度にする構造では、このリーク電流成分が増えるので注意が必要である。

原稿種別: 日本語

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