SiC-JFETを用いた太陽光発電用パワーコンディショナの試設計

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Design consideration of power conditioner for photovoltaic power generation constructed by SiC-JFET

著者名: 小前 泰彰(長岡技術科学大学),林 祐輔(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Yasuaki Komae(Nagaoka University of Technology),Yusuke Hayashi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: 太陽光発電|パワーコンディショナ|パワー密度|SiC

要約(日本語): Si半導体素子の基本性能の理論限界が顕在化する中、SiC半導体素子は、さらなる低損失化、高周波化の実現に対して期待されており、SiC半導体素子を適用した変換器高パワー密度化の研究が、数多く行なわれている。本稿では、SiC-JFETを用いたPV用パワーコンディショナの試設計を行った。SiC-JFETの静特性とスイッチング損失を測定し、実動作条件における素子損失を予測した。また、受動フィルタを含めた変換器効率・体積を予測し、SiC-JFETの適用効果を総合的に検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,141 Kバイト