インダクタンス負荷におけるSiC-VJFETとIGBTのスイッチング特性の比較

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Switching characteristics of SiC-VJFET and IGBT for inductive load

著者名: 菊池 章文(九州工業大学),吉永 啓佑(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Akifumi Kikuchi(Kyushu Institute of Technology),Keisuke Yoshinaga(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: SiC|EMC|スイッチング特性

要約(日本語): 現在のSiデバイスに変わり、ワイドバンドギャップ半導体への期待が高まっており、その中でも実用化が最も近いとされているのがシリコンカーバイド(SiC)デバイスである。SiCデバイスを用いることで高速スイッチングが期待されているが、高速スイッチングによってEMC/EMIといった問題が深刻化することが危惧される。本稿では、SiCデバイスを用いたインバータにおけるEMC/EMIの評価を目的とし、今回はSiC-VJFETとSiC-SBDを用いてL負荷におけるSiCデバイスのスイッチング特性をダブルパルス法で測定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,414 Kバイト