高耐圧AlGaN/GaN FETのPFC回路評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): High Breakdown Voltage AlGaN/GaN FET in Power Factor Correction Circuits

著者名: 町田 修(サンケン電気),岩上 信一(サンケン電気),猪澤道能 (サンケン電気),馬場 良平(サンケン電気),江原 俊浩(サンケン電気),柳原 将貴(サンケン電気),金子 信男(サンケン電気),後藤 博一(サンケン電気),岩渕 昭夫(サンケン電気)

著者名(英語): Osamu Machida(Sanken Electric Co.,Ltd.),Shinichi Iwakami(Sanken Electric Co.,Ltd.),Mitiyoshi Izawa(Sanken Electric Co.,Ltd.),Ryohei Baba(Sanken Electric Co.,Ltd.),Toshihiro Ehara(Sanken Electric Co.,Ltd.),Masataka Yanagihara(Sanken Electric Co.,Ltd.),Nobuo Kaneko(Sanken Electric Co.,Ltd.),Hirokazu Goto(Sanken Electric Co.,Ltd.),Akio Iwabuchi(Sanken Electric Co.,Ltd.)

キーワード: GaN|FET|Si基板|化合物半導体|力率改善回路

要約(日本語): Si基板上のGaN系デバイスは、低コストかつ低損失な次世代電源用デバイスとして期待されている。Si基板にGaN系結晶をエピタキシャル成長したウエハ上にノーマリオン型の横型AlGaN/GaN FETを作製した。本FETと低耐圧Si MOSFETをカスコード接続しノーマリオフ動作可能なGaN系FETを作製した。またノーマリオン型AlGaN/GaN FETと低耐圧Si SBDを組み合わせて非常にVfの低い高耐圧ダイオードを実現した。これらのGaN系デバイスをPFC回路に搭載し、高耐圧Si MOSFET、Si FRD搭載時の特性と比較したところ、GaN系デバイスはPFC回路の高効率化、高周波化に有効であることが確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,603 Kバイト