実回路条件下における高速・超低損失デバイスの損失評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Power loss evaluation of high-speed,ultra low-loss power devices under real circuit conditions

著者名: 土井慎太郎 (千葉大学),高尾和人 (産業技術総合研究所),佐藤之彦 (千葉大学),大橋弘通 (産業技術総合研究所)

キーワード: 電力変換器|高電力密度|シリコンカーバイドデバイス

要約(日本語): 電力変換器のパワー密度（電力変換器の出力パワー／電力変換器の体積）を上昇させるためには，電力変換器の低損失化と高周波化の両立が必要であり，シリコンカーバイド製のデバイスやSi-CoolMOSなどの高速・超低損失デバイスの利用が不可欠である。高速・超低損失デバイスを利用した電力変換回路では，回路の寄生パラメータが電力変換器の動作特性に与える影響が大きくなる。特に，デバイスの損失は電力変換回路の構造設計および，熱設計において重要な設計データであり，回路の寄生パラメータの影響を考慮した実回路条件下における回路損失の定量的予測が必要になる。現在までに，ユニポーラデバイスを対象として回路寄生パラメータとデバイス損失の相互関係をモデル化した。今回，開発した回路損失モデルを用いて回路損失を算出し，算出結果の妥当性を熱量測定により検証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,316 Kバイト