J-PARC入射バンプシステム電源の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Development of Power Supply for Injection Bump System of J-PARC

著者名: 高柳智弘 (日本原子力研究開発機構),小川真一 (日立製作所),古関庄一郎 (日立製作所),加藤修治 (日立製作所)

キーワード: チョッパ|加速器|バンプ電磁石|フィードフォワード|直流電圧制御

要約(日本語): 大強度陽子加速器施設J-PARCの3GeVシンクロトロンへの入射バンプシステム用電源の内，最大容量の水平シフトバンプ電磁石電源の開発についての報告である。本電源は，対象電磁石を1ms強のパルス幅，25Hz繰返しで励磁する。波形はフラットトップから200μsで急速減衰させる。電源最終仕様は10kV，32.2kAピークであり，今回，当初容量である6.4kV，20kAで製作した。3.3kV-1200AのIGBTを21並列とし4象限チョッパ，4段多重で構成した。パルス通電での±1%精度での制御性能を確保するためフィードフォワードで制御した。電源への入力は，平均値で制御することによってパルス通電にもかかわらずほぼ一定値で制御される。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,420 Kバイト