IEGT多直列接続のためのアクティブゲートの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-045

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Development of Active Controlled Gate Circuit for Multi-Sires IEGT

著者名: 金 宏信(東芝三菱電機産業システム),田井 裕通(東芝)

著者名(英語): Hironobu Kon(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems),Hiromichi Tai(Toshiba)

キーワード: アクティブゲート|IEGT|直列接続|ピーク電圧抑制

要約(日本語): 現在、IEGT多直列化のためのゲート電流注入型のアクティブゲートの開発を行っている。IEGTターンオフ時にVceが所定の電圧値を超えたら、ゲートに電流を注入してVceが一定値以下になるようにIEGTを飽和領域で制御する。IEGT（定格4500V-2100A)を4直列スナバレス構成とした遮断試験結果（Vdc=9000V、Ic=1800A）により、4素子ともにターンオフ時のピーク電圧がほぼVcep=3000Vにクランプされていることを確認した。アクティブゲートによるIEGTターンオフ時のVce抑制動作を確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 683 Kバイト