自己回復性ヒューズSRF素子のオン抵抗の印加電圧依存性と再現性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-245

グループ名: 【全国大会】平成19年電気学会全国大会論文集

発行日: 2007/03/15

タイトル(英語): Reproducibility and Applied Voltage Dependence of ON Resistance of Self-recovering Fuse Device

著者名: 末富 広樹(九州工業大学),秋吉 史博(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学)

著者名(英語): Hiroki Suetomi(Kyushu Institute of Technology),Fumihiro Akiyoshi(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: オン抵抗|液体絶縁マトリックス|ヒューズ

要約(日本語): 筆者らはこれまで、過電流保護素子として新しい動作原理に基づく自己回復性を有する新しいヒューズ素子の開発を行っている。これまでに、誘電泳動力によるオフ状態からオン状態への自己回復性の実験的検証やオフ・オン抵抗比、さらには電流遮断時（即ち、オン状態からオフ状態）における散開粒子の形状や大きさが復帰時のオン抵抗特性に及ぼす影響について検討している。本論文では、オン抵抗の印加電圧依存性や再現性について検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 884 Kバイト