次世代直流抵抗標準の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-106

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Development of Next Generation DC-Resistance Standard

著者名: 大江 武彦(産業技術総合研究所),金子 晋久(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Takehiko Oe(Advanced Industrial Science and Technology),nobuhisa Kaneko(Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 直流抵抗標準|量子ホール効果|量子化ホール抵抗|QHRアレイ

要約(日本語): 現在の直流抵抗標準は、量子化ホール抵抗を起点として供給されている。量子化ホール抵抗の値は、h/(ie2)（h:プランク定数、e:電荷素量、i:整数）で表される。一般的に、i=2とi=4のプラトーを用いて標準供給がなされるが、i=2の場合RH=12906.4035 Ωと、量子化抵抗値は10のべき乗の値から外れている。そこで、量子化ホール抵抗を直並列に組み合わせて、任意の抵抗値を示す量子化ホール抵抗素子を世界の幾つかの標準研究所が作製している。我々もこのQHRアレーの作製に取り掛かっており、今回、2並列素子の特性を確認したので、その事について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 699 Kバイト