パルスレーザーアブレーションによる多結晶シリコン膜の成膜と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-164

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): The evaluation of the polycrystalline silicon film by the pulse laser deposition

著者名: 萱原功一 (富山大学),北村 岩雄(富山大学),伊藤 弘昭(富山大学),升方 勝己(富山大学)

著者名(英語): Koichi Kayahara(University of Toyama),Iwao Kitamura(University of Toyama),hiroaki Ito(University of Toyama),katumi masugata(University of Toyama)

キーワード: 多結晶シリコン|ガラス基板|薄膜

要約(日本語): 現在のガラス基板への多結晶シリコンの主な成膜方法はアモルファスシリコンをレーザーアニールで結晶化させる方法が用いられている。本研究では、レーザーアブレーションにより、多結晶シリコンを直接ガラス表面に成膜させ、その評価を行った。本実験では、シリコンにYAGレーザーを照射し、レーザーアブレーションによりガラス板に堆積させた。レーザエネルギーは300mJ、光学レンズにより、1.5J/cm2に集光させた。堆積した多結晶シリコン薄膜のX線解析より、各々Si(111)面とSi(220)面のピークが約29°と約47°に観察された。また、薄膜表面は茶色く、大きさの異なる細かい粒が多く観察された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 511 Kバイト