バースト正弦波高電界によるDNA損傷

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-167

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): DNA Damage by Intense Burst Sinusoidal Electric Field

著者名: 矢野 正彦(熊本大学),野村 尚之(熊本大学),勝木 淳(熊本大学),秋山 秀典(熊本大学)

著者名(英語): Masahiko Yano(Kumamoto University),Naoyuki Nomura(Kumamoto University),Sunao Katsuki(Kumamoto University),Hidenori Akiyama(Kumamoto University)

キーワード: バースト正弦波高電界|コメットアッセイ法|DNA損傷|CHO細胞

要約(日本語): 生体細胞に高周波電界を印加すると，周波数が1 MHz程度よりも小さいと電界は細胞膜にかかり，大きいと細胞内部に電界が入るようになる．バースト的に発生する正弦波高電界(Intense Burst Sinusoidal Electric Field：IBSEF)を用いることでより効果的に細胞内へ電界を印加することができる．本研究では，熱効果が少なく細胞内に十分な電界が印加可能なIBSEF(100 MHz,200 µs)を用いて，電界の細胞内DNAへの影響を調べた．実験結果より，電界強度が100 kV/m以上のIBSEFでDNA損傷がみられた．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 760 Kバイト