CHF3プラズマの解析(2)-電子輸送係数RF周期応答の圧力依存性-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-204

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Analysis of CHF3 plasmas - pressure dependence of RF periodical response of electron transport parameters -

著者名: 齊藤隆典 (北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),酒井 洋輔(北海道大学),須田 善行(北海道大学)

著者名(英語): Ryusuke Saito(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Yousuke Sakai(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University)

キーワード: プラズマ|CHF3|電子輸送係数|シミュレーション

要約(日本語): 様々な圧力下でCHF3中の電子輸送係数の計算を行った。本報告ではドリフト速度及び平均電子エネルギーの交流電界に対する周期変化を示す。振幅1000TdのRF電界印加時の平均電子エネルギーは、圧力が比較的高い200mTorr、100mTorrでは、印加電界のピーク値付近では直流での値とほぼ一致した。しかし、±200Td以内の領域では直流での値よりも大きな値を持つことがわかった。一方、10mTorr以下の低圧下では、平均電子エネルギーは1周期を通してほとんど変化しない。振幅1000TdのRF電界印加時のドリフト速度は、100mTorr以上では電界変化に対しほぼ直線的に変化する。しかし、20mTorr以下ではドリフト速度は低気圧ほど円形に近い軌跡を描く。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,356 Kバイト