C8F18プラズマCVDによるa-C:F膜の異種構造積層堆積

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-208

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Deposition of hetero-structure layered a-C:F films by C8F18 plasma CVD

著者名: 水野 巧一朗(北海道大学),小池 広恵(北海道大学),山内 達也(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),須田 善行(北海道大学),酒井 洋輔(北海道大学)

著者名(英語): Kouichirou Mizuno(Hokkaido University),Hiroe Koike(Hokkaido University),Tatsuya Yamauchi(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University),Yosuke Sakai(Hokkaido University)

キーワード: フッ化炭素|絶縁膜|プラズマCVD|電子顕微鏡観察|積層

要約(日本語): プラズマCVDによる非晶質フッ化炭素膜低誘電率絶縁膜成膜過程で投入電力を変えることで組成が同じでも構造の異なるフッ化炭素膜を堆積できる。本報告では、低電力と高電力の膜堆積を同一のプラズマCVD装置内で一連のプロセスとして行ない、堆積膜を走査型電子顕微鏡で観察した結果について述べる。堆積過程に低電力堆積を含む条件下では膜は波状となることが確認された。その原因として、膜が膨張し水平方向から圧縮を受けた結果皺が盛り上がったことが考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 791 Kバイト