ニッケルをドープしたシリコンのマイクロ波光導伝減衰法による少数キャリア寿命の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-089

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Evaluation of minority carrier lifetime in nickel-doped silicon by means of μ-PCD

著者名: 今古川 宏幸(福岡工業大学),鳥居 卓洋(福岡工業大学),田中 秀司(福岡工業大学),北川 興(福岡工業大学)

著者名(英語): Hiroyuki Imafurukawa(Fukuoka Institute of Technology),Takuyou Torii(Fukuoka Institute of Technology),Shuuji Tanaka(Fukuoka Institute of Technology),Hajime Kitagawa(Fukuoka Institute of Technology)

キーワード: ニッケル|シリコン

要約(日本語): シリコン中のニッケル原子は，置換位置と格子間位置の両方を占め，溶解したニッケル原子のわずか10-3?10-4の割合で存在する置換形ニッケル原子だけが電気的に活性であるとの報告がある．しかし，電気的に活性な種は，析出物などの置換形ニッケル原子以外の種であるとの報告もあり，議論の多いところである．本研究では，マイクロ波光導伝減衰法により少数キャリア寿命を測定し，置換形ニッケル原子がキャリアの生成・再結合にも活性であることを確認することを目的とした．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 695 Kバイト