1
/
の
1
II-VI族磁性半導体Zn1-XMnXTe及びZn1-XMnXSe膜の磁気光特性
II-VI族磁性半導体Zn1-XMnXTe及びZn1-XMnXSe膜の磁気光特性
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-091
グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集
発行日: 2008/03/19
タイトル(英語): Magneto-optical Properties of Magnetic Semiconductor Zn1-XMnXTe and Zn1-XMnXSe Films.
著者名: 樋口 寛(福岡工業大学),今村 正明(福岡工業大学)
著者名(英語): Hiroshi Higuchi(Fukuoka Institute of Technology),Masaaki Imamura(Fukuoka Institute of Technology)
キーワード: II?VI磁性半導体|磁気光特性
要約(日本語): 近年、半導体レーザは短波長化が進み、緑色半導体レーザや青色半導体レーザが使われるようになった。このことから、可視短波長光を光源にした磁気光センサや光アイソレータの開発が望まれている。本研究は、II族及び?族の元素を石英ガラスの基板上に合成したII-?族磁性半導体膜の磁気光特性を明らかにする目的で行った。II-VI族磁性半導体は直接遷移型の半導体であり、化合物元素を選ぶことによりバンドギャップを変化できる。このことより、目的とする波長の光に対して透明な膜を作成できる。II族の元素Zn、VI族の元素Te/Seそれと磁性元素であるII族のMnを加えたZnMnTeとZnMnSe磁性半導体膜を作成し、これまでよく研究されてきたCdMnTe膜とその特性を比較しつつ磁気光磁性の評価を行った。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 854 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
