封じきりC8F18プラズマCVD による二層非晶質フッ化炭素膜の間欠堆積

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-093

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Intermittent deposition of two-layered a-C:F films by C8F18 plasma CVD in closed system

著者名: 山内 達也(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),酒井 洋輔(北海道大学),須田 善行(北海道大学),小池 広恵(北海道大学)

著者名(英語): Tatsuya Yamauchi(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Yosuke Sakai(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University),Hiroe Koike(Hokkaido University)

キーワード: プラズマ化学気相堆積|非晶質フッ化炭素膜

要約(日本語): 当研究室ではa-C:F膜の異種構造積層をめざし膜の二層堆積を研究してきた。複数の膜の積層にあたっては、堆積の中断・再開が膜にどのような影響を与えるかを知る必要があるため本研究では間欠堆積を試みた。実験ではC8F18を原料ガスとしてプラズマCVD法によりa-C:F膜を成膜し、膜の表面・断面の観察、膜厚・堆積速度・比誘電率の測定を行った。間欠堆積した膜と連続堆積した膜の違いを検討する。過去の実験で原料ガスを入れ替えて二層堆積を行った場合は層の境界が見られたが、本実験では層の境界が不明瞭なものが多かった。連続堆積膜と間欠堆積膜とで堆積速度、比誘電率に大きな差は見られなかった。

原稿種別: 日本語

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