有機溶媒蒸気処理とV2O5挿入によるマグネシウムフタロシアニンFETの特性変化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-111

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): FET Property Changes of Magnesium Phthalocyanine Thin Film due to Organic Solvent Vapor Treatments and V2O5 Film Deposition

著者名: 高塚 泰人(新潟大学),赤澤 敏幸(新潟大学),東川 哲之(新潟大学),皆川 正寛(新潟大学),新保 一成(新潟大学),加藤 景三(新潟大学),金子 双男(新潟大学),馬場 暁(新潟大学),大平 泰生(新潟大学)

著者名(英語): Yasuhito Takatsuka(faculty of eng,Niigata University),Tosiyuki Akazawa(faculty of eng,Niigata University),Tetuyuki Higasikawa(faculty of eng,Niigata University),Masaki Minagawa(faculty of eng,Niigata University),Kazunari Sinbo(faculty of eng,Niigata University),Keizou Katou(faculty of eng,Niigata University),Futao Kaneko(faculty of eng,Niigata University),Akira Baba(faculty of eng,Niigata University),Yasuo Oodaira(faculty of eng,Niigata University)

キーワード: 有機FET|MgPc|V2O5|雰囲気処理

要約(日本語): OFETの特性向上を目指し、シリコン基板上にMgPcを有機材料として用いたFETに対し雰囲気処理とV2O5挿入によるFET特性の変化を調べた。結果、?蒸気処理・V2O5共に無し?MgPc薄膜にジクロロメタン蒸気処理（5分）を加えたもの（V2O5無し）?蒸気処理5分、V2O5を挿入したもの、のMgPcFETの出力特性を比較すると蒸気処理を行うとon/off比、移動度は大きく改善され、V2O5を挿入すると移動度は上がるが漏れ電流が増加しon/off比は大幅に下がることが分かった。今後は最適な構造や蒸気処理をするタイミングの検討が必要である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 704 Kバイト