高分子ゲート絶縁層上に作製したフラーレン電界効果トランジスタの電気特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-113

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Electrical properties of fullerene field effect transistor prepared on polymeric gate insulator

著者名: 伊東 栄次(信州大学),東本 雄介(信州大学),宮入 圭一(信州大学)

著者名(英語): Eiji Itoh(Shinshu University),Yusuke Higashimoto(Shinshu University),Keiichi Miyairi(Shinshu University)

キーワード: フラーレン|有機トランジスタ|移動度|高分子ゲート絶縁層|ポリイミド

要約(日本語): 本研究では高分子ゲート絶縁層上にフラーレンを用いた有機電界効果トランジスタを作製しその電気特性を評価した。高分子ゲート絶縁層には架橋ポリビニルフェノールやポリイミド及びポリイミドを極薄ペンタセンでコートした薄膜を用いた。ゲート絶縁層の材料を変えることで界面が改善されFET特性が改善された。X線回折の結果より、移動度が高い素子ではフラーレンが微結晶となっていることがわかった。また、FET特性以外にもMISダイオード特性やそれらの温度特性を評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 962 Kバイト