電解重合法によるP3HT薄膜作製とそのLB膜の作製評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-118

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Electrolytic Polymerization of P3HT and Preparation of LB Films

著者名: 小出 哲也(千葉大学),串田 正人(千葉大学)

著者名(英語): Tetsuya Koide(Chiba University),Masahito Kushida(Chiba University)

キーワード: ポリチオフェン|電解重合膜|LB膜|分子ワイヤー|ナノテクノロジー|金ナノ粒子

要約(日本語): バルクにおいてポリチオフェンや金は高い導電性を持つことが知られている．本研究で用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)や金ナノ粒子は次世代のナノエレクトロニクスのデバイス開発の重要な材料であり, 高い導電性を保持したまま数ナノメートルオーダーの薄膜が作製できれば分子素子の面からも非常に興味深い. 我々はP3HTを電解重合で合成した．P3HTはポリマー間の相互作用により溶解度が非常に低いが，N,N-dimethylformamide (DMF)に膨潤させてからクロロホルムに溶解することがわかった．さらに，Langmuir-Blodgett(LB)法を用いた薄膜作製を行った.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 471 Kバイト