「スーパーセンダスト」系薄膜の軟磁気特性に及ぼすSiO2の添加効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-136

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Effect of SiO2 Addition for Soft Magnetic Properties of Super Sendust System Thin Films

著者名: 王 鋒 (日本大学),新妻清純 (日本大学),移川欣男 (日本大学)

キーワード: スーパーセンダスト(I)|軟磁気特性|飽和磁化|保磁力|透磁率|電気抵抗率

要約(日本語): 6.0wt%Si-4.0wt%Al-3.2wt%Ni-bal.Feの組成を有する「スーパーセンダスト(I)」[SS(I)]系合金は,高飽和磁束密度および高透磁率を持つ優れた軟磁性材料の一つであり,かつ,希少資源・元素戦略に叶う。本系合金を薄膜化することによって小型化,省エネ化ならびに低損失などのニーズに応える磁気デバイスに応用可能と考えられる。本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法を用いて，Arガス雰囲気中でSiO2を添加し,高周波に対応できる高透磁率で高電気抵抗を有するSS(I)系薄膜の作製を試み，SS(I)系薄膜の軟磁気特性に及ぼすSiO2の添加効果について検討した。その結果として,SiO2を8％添加して、飽和磁化値Msは2.13×10-4Wb・m/kgとなり，若干低下したが，保磁力Hcは最小値0.51kA/mを示し，約75％も低下し,軟磁気特性が向上した。さらに垂直磁気異方性値K⊥は3.42×104J/m3を示し，Hcとほぼ比例して約80％も低下した。または,比実効透磁率は最大値308を示し，約80％も向上した。一方,電気抵抗率ρは約10％増大した。このことからSiO2の添加効果が認められた。

原稿種別: 日本語

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